Trương Cẩm Tú
Guest
Gã khổng lồ công nghệ nhớ Hàn Quốc SK Hynix vừa công bố khởi động sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM3E 12 lớp đầu tiên trên thế giới, với dung lượng lên đến 36GB, đánh dấu bước nhảy vọt so với thế hệ 8 lớp 24GB trước đó. Thiết kế mới này được hiện thực hóa nhờ giảm độ dày của mỗi chip DRAM xuống 40%, cho phép xếp chồng nhiều lớp hơn mà vẫn giữ nguyên kích thước tổng thể. SK Hynix dự kiến sẽ bắt đầu xuất xưởng hàng loạt vào cuối năm 2024. Bộ nhớ HBM3E hỗ trợ...
Đọc bài gốc tại đây
Đọc bài gốc tại đây