Nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND Nhật Bản Kioxia vừa công bố bước tiến mới nhất về công nghệ bộ nhớ flash NAND vào ngày 20/2, với sự gia tăng đáng kể lên 332 lớp, so với 218 lớp trước đó. Sự đổi mới này không chỉ tăng tốc độ truyền dữ liệu lên 33% mà còn cải thiện hiệu quả năng lượng trong quá trình đọc, định vị công ty để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo (AI) và các ứng dụng tương tự. Tại một hội nghị quốc...