Graphene và "bơm siêu phun 2D": bí mật đằng sau bộ nhớ flash mới nhanh gấp 10.000 lần SSD hiện tại

[Nguyễn Thùy Linh]

Một nhóm nghiên cứu tại Đại học Fudan ở Thượng Hải, Trung Quốc vừa công bố một đột phá có thể cách mạng hóa ngành công nghiệp lưu trữ và điện toán: công nghệ bộ nhớ Flash mới mang tên "PoX" (Phase-change Oxide) với tốc độ xử lý nhanh chưa từng thấy. Chip nhớ PoX có khả năng ghi dữ liệu chỉ trong 400 picosecond (một phần nghìn tỷ của giây), nhanh hơn tới 10.000 lần so với bộ nhớ flash NAND thông thường đang được sử dụng trong ổ cứng SSD và USB hiện nay. Bí mật tốc độ: Graphene...

Đọc bài gốc tại đây