JavaScript is disabled. For a better experience, please enable JavaScript in your browser before proceeding.
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an
alternative browser .
Graphene và "bơm siêu phun 2D": bí mật đằng sau bộ nhớ flash mới nhanh gấp 10.000 lần SSD hiện tại
Một nhóm nghiên cứu tại Đại học Fudan ở Thượng Hải, Trung Quốc vừa công bố một đột phá có thể cách mạng hóa ngành công nghiệp lưu trữ và điện toán: công nghệ bộ nhớ Flash mới mang tên "PoX" (Phase-change Oxide) với tốc độ xử lý nhanh chưa từng thấy. Chip nhớ PoX có khả năng ghi dữ liệu chỉ trong 400 picosecond (một phần nghìn tỷ của giây), nhanh hơn tới 10.000 lần so với bộ nhớ flash NAND thông thường đang được sử dụng trong ổ cứng SSD và USB hiện nay. Bí mật tốc độ: Graphene...
Đọc bài gốc tại
đây
Đăng nhập một lần thảo luận tẹt ga
window.googletag = window.googletag || {cmd: []};
googletag.cmd.push(function() {
window.uk_delivery_1753154734465 = googletag.defineSlot('/57976558/Ureka_Supply_home.vn_Outstream_1x1_270225', [1,1], 'div-gpt-ad-1753154734465-0').addService(googletag.pubads());
googletag.pubads().enableSingleRequest();
googletag.enableServices();
googletag.display('div-gpt-ad-1753154734465-0');
});
googletag.cmd.push(function() {
if(googletag.pubads().isInitialLoadDisabled() && !window.uk_delivery_1753154734465.getResponseInformation()){
googletag.pubads().refresh([window.uk_delivery_1753154734465])
}
});
window.googletag = window.googletag || {cmd: []};
googletag.cmd.push(function() {
window.uk_delivery_1753685560510 = googletag.defineSlot('/57976558/Ureka_Supply_home.vn_InpageMB_1x1_110325', [1,1], 'div-gpt-ad-1753685560510-0').addService(googletag.pubads());
googletag.pubads().enableSingleRequest();
googletag.enableServices();
googletag.display('div-gpt-ad-1753685560510-0');
});
googletag.cmd.push(function() {
if(googletag.pubads().isInitialLoadDisabled() && !window.uk_delivery_1753685560510.getResponseInformation()){
googletag.pubads().refresh([window.uk_delivery_1753685560510])
}
});
Đoạn Video
Ảnh
Một nhóm nghiên cứu tại Đại học Fudan ở Thượng Hải, Trung Quốc vừa công bố một đột phá có thể cách mạng hóa ngành công nghiệp lưu trữ và điện toán: công nghệ bộ nhớ Flash mới mang tên "PoX" (Phase-change Oxide) với tốc độ xử lý nhanh chưa từng thấy. Chip nhớ PoX có khả năng ghi dữ liệu chỉ trong 400 picosecond (một phần nghìn tỷ của giây), nhanh hơn tới 10.000 lần so với bộ nhớ flash NAND thông thường đang được sử dụng trong ổ cứng SSD và USB hiện nay. Bí mật tốc độ: Graphene...
