Đoạn Video
Ảnh
Trương Cẩm Tú✔
Guest
ChangXin Memory Technologies (CXMT), nhà sản xuất bộ nhớ DRAM lớn của Trung Quốc, vừa công bố đưa nền tảng công nghệ DRAM thế hệ thứ năm, G5, vào sản xuất hàng loạt. Công nghệ mới giúp tăng đáng kể mật độ lưu trữ và số lượng chip có thể sản xuất trên mỗi tấm wafer so với thế hệ trước. Thông tin được CXMT công bố tại Hội nghị Sản xuất Thế giới 2026. Theo hãng, trên nền tảng G5, half-pitch của vùng active array đã được thu nhỏ xuống 11,95 nm. Tỷ lệ chiều sâu trên chiều rộng của tụ điện bộ nhớ đạt 45:1, trong khi chiều cao vùng active lõi được giảm xuống 6.762 nm. Những thay đổi này giúp tăng mật độ bộ nhớ trên cùng một diện tích silicon. CXMT cho biết nếu so sánh trên cùng cơ sở chip 8 Gb, số lượng die có thể thu được từ mỗi wafer tăng ít nhất 50% so với nền tảng G4 trước đó. Con số này không có nghĩa năng lực sản xuất của nhà máy tự động tăng 50%. Việc thu nhỏ kích thước chip cho phép bố trí nhiều die hơn trên cùng một wafer,...
Đọc bài gốc tại đây
