Đột phá công nghệ bộ nhớ: Samsung giới thiệu công nghệ kết hợp cả DRAM và NAND

vnrcraw7
Cao Tùng
Phản hồi: 0

Cao Tùng

Thành viên nổi tiếng
Samsung Electronic đã công bố phát triển một mô-đun Compute Express Link (CXL) tiên tiến, kết hợp DRAM tốc độ cao với NAND Flash dung lượng lớn, mở ra hướng đi mới cho bộ nhớ thế hệ tiếp theo. Thông báo này được đưa ra tại Diễn đàn Bán dẫn AI vào ngày 13/5/2025, đánh dấu bước tiến quan trọng của Samsung trong việc đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về hiệu suất và dung lượng bộ nhớ cho trí tuệ nhân tạo (AI), điện toán đám mây và dữ liệu lớn. Tại diễn đàn, chuyên gia Son Kyo-min...

Đọc bài gốc tại đây
 


Đăng nhập một lần thảo luận tẹt ga
Back
Top